| 利用P-MBE方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜 |
| |
| 引用本文： | 梁红伟,吕有明,申德振,刘益春,李炳辉,张吉英,范希武.利用P-MBE方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜[J].发光学报,2003,24(3):275-278. |
| |
| 作者姓名： | 梁红伟 吕有明 申德振 刘益春 李炳辉 张吉英 范希武 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130022 |
| |
| 基金项目： | 国家"863"高技术新材料领域项目(209AA31112)，中国科学院二期创新项目，中国科学院百人计划项目，国家自然科学基金(69896260,69977019)资助项目 |
| |
| 摘 要： | 利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜。为改善生长后样品的质量，把样品解理成三块后，在不同温度下氧气气氛中退火。通过X射线衍射(XRD)谱和光致发光(PL)谱进行表征，讨论了用P-MBE方法在Si基上生长的ZnO的室温光致发光发光峰的可能原因。
|
| 关 键 词： | P－MBE ZnO薄膜 氧化锌薄膜 等离子体辅助分子束外延 X射线衍射 光致发光 薄膜生长 硅衬底 |
| 文章编号： | 1000-7032(2003)03-0275-04 |
Growth of Zinc Oxide Thin Films on (400) Si by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | ZnO plasma assisted molecular beam epitaxy (P-MBE) XRD photoluminescence (PL) |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
