| 常压MOCVD生长ZnO/GaN/Al2O3薄膜及其性能 |
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| 引用本文： | 戴江南,王立,方文卿,蒲勇,莫春兰,熊传兵,郑畅达,刘卫华,江风益.常压MOCVD生长ZnO/GaN/Al2O3薄膜及其性能[J].发光学报,2005,26(6):772-776. |
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| 作者姓名： | 戴江南 王立 方文卿 蒲勇 莫春兰 熊传兵 郑畅达 刘卫华 江风益 |
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| 作者单位： | 南昌大学,教育部发光材料与器件工程研究中心,江西,南昌,330047;南昌大学,教育部发光材料与器件工程研究中心,江西,南昌,330047;南昌大学,教育部发光材料与器件工程研究中心,江西,南昌,330047;南昌大学,教育部发光材料与器件工程研究中心,江西,南昌,330047;南昌大学,教育部发光材料与器件工程研究中心,江西,南昌,330047;南昌大学,教育部发光材料与器件工程研究中心,江西,南昌,330047;南昌大学,教育部发光材料与器件工程研究中心,江西,南昌,330047;南昌大学,教育部发光材料与器件工程研究中心,江西,南昌,330047;南昌大学,教育部发光材料与器件工程研究中心,江西,南昌,330047 |
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| 基金项目： | 国家科技攻关项目;电子信息产业发展基金 |
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| 摘 要： | 以去离子水（H2O）和二乙基锌（DEZn）为源材料，生长温度是680℃时，利用常压MOCVD在GaN／Al2O3模板上成功生长了ZnO单晶薄膜，用原子力显微镜（AFM）、X射线双晶衍射（DCXRD）、光致发光谱（PL）对ZnO薄膜的表面形貌、结晶学性质、光学性质作了综合研究。双晶衍射表明，ZnO非对称（1012）面ω扫描的半峰全宽（FWHM）仅为420arcsec，估算所生长ZnO膜的位错密度大约为10^3／cm^2量级，这与具有器件质量的GaN材料的位错密度相当。在ZnO薄膜的低温15K光荧光谱中，观察到很强的自由激子和束缚激子发射以及自由激子与束缚激子的多级声子伴线。
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| 关 键 词： | 金属有机化学气相沉积 GaN/Al2O3 原子力显微镜 X射线双晶衍射 光致发光 |
| 文章编号： | 1000-7032（2005）06-0772-05 |
| 收稿时间： | 2004-08-22 |
| 修稿时间： | 2004-12-22 |
ZnO Thin Films Grown on GaN/Al2O3 Templates by Atmospheric Pressure MOCVD |
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| DAI Jiang-nan,WANG Li,FANG Wen-qing,PU Yong,MO Chun-lan,XIONG Chuan-bing,ZHENG Chang-da,LIU Wei-hua,JIANG Feng-yi.ZnO Thin Films Grown on GaN/Al2O3 Templates by Atmospheric Pressure MOCVD[J].Chinese Journal of Luminescence,2005,26(6):772-776. |
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| Authors: | DAI Jiang-nan WANG Li FANG Wen-qing PU Yong MO Chun-lan XIONG Chuan-bing ZHENG Chang-da LIU Wei-hua JIANG Feng-yi |
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| Institution: | Education Ministry Engineering Research Center,for Luminescence Material and Device, Nanchang University, Nanchang 330047, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN/Al2O3 |
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