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| PbSnTe可调谐半导体脉冲激光器的研制取得突破 | |
| 引用本文： | 孟晋 ,吴盛贤.PbSnTe可调谐半导体脉冲激光器的研制取得突破[J].发光学报,1983(1). |
| 作者姓名： | 孟晋 吴盛贤 |
| 摘 要： | 长春物理研究所采用本所研制的低位错密度、高质量的PbSnTe单晶,用扩散法于1982年8月研制的同质结脉冲激光器取得了突破。1983年元月中旬,由大连化物所同志协助对该器件进行了测试。测试条件是:电流脉冲宽度为5μs,10μs,23μs。重复频率为1000Hz,560Hz。测试温度为12—26°K。获得的各项技术指标如下: |
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