| TiAl3 和Ti/TiAl3 非合金化电极n型GaN欧姆接触的实现 |
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| 引用本文： | 明帆,林红斌,胡成余,秦志新,陈志忠,张国义.TiAl3 和Ti/TiAl3 非合金化电极n型GaN欧姆接触的实现[J].发光学报,2005,26(3):399-403. |
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| 作者姓名： | 明帆 林红斌 胡成余 秦志新 陈志忠 张国义 |
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| 作者单位： | 北京大学,物理学院,人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京,100871 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划);北京大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 在不进行合金化的情况下,首次直接采用TiAl3合金材料作为金属接触电极.在蓝宝石衬底上生长的n型载流子浓度为2×1018 cm-3的GaN上,成功地得到低接触电阻的欧姆接触,并由环形传输线模型方法测得比接触电阻率为3×10-5 Ω*cm2.与通常n型欧姆接触采用的Ti/Al双层结构比较,TiAl3合金结构更容易形成非合金化的n型欧姆接触.在此实验基础上,进一步分析了N空位和界面层处的TiAl3在形成非合金化或低温退火欧姆接触中发挥的作用,由此设计的Ti/TiAl3/Ni/Au接触结构,在TiAl3合金结构基础上明显地降低了接触电阻率.
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| 关 键 词： | 欧姆接触 TiAl3合金 反应离子刻蚀 比接触电阻率 |
| 文章编号： | 1000-7032(2005)03-0399-05 |
| 修稿时间： | 2004年10月15 |
Realization of Nonalloyed TiAl3 And Ti/TiAl3 Ohmic Contact to n-GaN |
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| MING Fan,LIN Hong-Bin,HU Cheng-Yu,QIN Zhi-xin,CHEN Zhi-zhong,ZHANG Guo-yi.Realization of Nonalloyed TiAl3 And Ti/TiAl3 Ohmic Contact to n-GaN[J].Chinese Journal of Luminescence,2005,26(3):399-403. |
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| Authors: | MING Fan LIN Hong-Bin HU Cheng-Yu QIN Zhi-xin CHEN Zhi-zhong ZHANG Guo-yi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN |
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