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p-n 型GaInP2/GaAs叠层太阳电池研究
引用本文:陈鸣波,崔容强,王亮兴,张忠卫,陆剑峰,池卫英.p-n 型GaInP2/GaAs叠层太阳电池研究[J].数学建模及其应用,2005(2):6-10.
作者姓名:陈鸣波  崔容强  王亮兴  张忠卫  陆剑峰  池卫英
作者单位:上海交通大学物理系, 上海 200030;上海空间电源研究所, 上海 200233;上海交通大学物理系, 上海 200030;上海空间电源研究所, 上海 200233;上海空间电源研究所, 上海 200233;上海空间电源研究所, 上海 200233;上海空间电源研究所, 上海 200233
基金项目:国家重点基础研究发展规划项目(批准号:ZM200002B01)资助的课题.
摘    要:报道了对p-n型 GaInP2/GaAs叠层太阳电池的研究结果.采用低压金属有机物化学气相沉积工艺制备电池样品.通过对GaInP2顶电池中场助收集效应的计算机模拟,提出用p+p-n-n+结构取代常用的p+n 结构,显著改善了GaInP2顶电池和GaInP2/GaAs叠层太阳电池的光伏性能,使其光电转换效率(Eff)分别达到14.26% 和23.82% (AM0, 25℃, 2×2cm2).

关 键 词:场助收集效应,  镓铟磷,  砷化镓,  叠层太阳电池
收稿时间:6/6/2003 12:00:00 AM
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