| 半导体材料科学中的能量输运模型 |
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| 引用本文： | 陈丽,肖玲.半导体材料科学中的能量输运模型[J].应用泛函分析学报,2003,5(1):35-40. |
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| 作者姓名： | 陈丽 肖玲 |
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| 作者单位： | 中国科学院数学与系统科学研究院,北京,100080 |
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| 基金项目： | Supported by the Special Funds of State Major Basic Research Projects (Grant
No.19990 75 10 7) and the Innovation Funds of AMSS，CAS of China |
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| 摘 要： | 这是一篇关于半导体材料科学中能量输运模型的综述性章。该在这两个方面讨论了具有绝缘边值的两种典型能量输运模型的初边值问题，一方面得到了一种强解的存在性，另一方面得到了光滑解全局存在性和大时间行为。
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| 关 键 词： | 存在性 大时间行为 初边值问题 解 等温态 抛物型方程 渐近行为 半导体材料 能量输运模型 |
Energy Transport Model in Semiconductor Science |
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| CHEN Li,XIAO Ling.Energy Transport Model in Semiconductor Science[J].Acta Analysis Functionalis Applicata,2003,5(1):35-40. |
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| Authors: | CHEN Li XIAO Ling |
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| Abstract: | this is a survey lecture on energy tra Ns Port models in semiconductor science. We will discuss the initial boundary value problem with insulated boundary of two typical energy transport models in two Aspects. One is the existence of a kind of strong solution, and the other is the global existence and large time behavior of smooth solution.= |
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| Keywords: | energy transport model for semiconductors Isothermal state sobolev embedding parabolic system global existence Asymptotic behavior |
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