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| C3N4的制备与结构分析——Ⅱ.Ni衬底上的样品 | |
| 引用本文： | 王恩哥,陈岩,郭丽萍.C3N4的制备与结构分析——Ⅱ.Ni衬底上的样品[J].中国科学A辑,1997,40(2):154-157. |
| 作者姓名： | 王恩哥 陈岩 郭丽萍 |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所 北京 100080 |
| 摘 要： | 在Ni衬底上获得长为1～3μm,横截面尺寸为300 nm左右的C3N4单晶六棱体。排除了在Si上生长由于混合相C-Si-N所引起的晶格常数不准确性。X光衍射和透射电镜确定的β-C3N4的晶格常数为a=0.624nm,c=0.236nm;a-C3N4的晶格常数为a=0.638nm,c=0.4648nm.它们与第一性原理计算值的偏差分别小于2.5％和1.3％。X射线能谱分析给出N:C=1.30～1.40。 |
| 关 键 词： | &beta -和&alpha -C3N4结构 N C比 体弹性模量 |
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