C3N4晶体的高温高压合成 |
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引用本文: | 贺端威,张富祥,张湘义,张明,刘日平,许应凡,王文魁.C3N4晶体的高温高压合成[J].中国科学A辑,1998,41(1):49-52. |
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作者姓名: | 贺端威 张富祥 张湘义 张明 刘日平 许应凡 王文魁 |
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作者单位: | (1)中国科学院物理研究所 北京100080
(2)燕山大学材料工程学院,秦皇岛006604 |
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摘 要: | 用有机物C3 N4H4作为初始原料 ,Ni基合金作触媒,在压力为 7GPa ,温度为1 400℃条件下 ,10min内合成出长为 1~ 4μm ,截面尺寸为300 nm左右的碳氮棒状晶体.提出了在高温高压条件下合成碳氮晶体时选择初始原料的一般性原则
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关 键 词: | 碳氮晶体 高温高压 C3N4H4 触媒 |
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