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| GaAs衬底上分子束外延α-Sn薄膜及其量子阱结构考虑 | |
| 引用本文： | 易新建,郝建华,张新宇.GaAs衬底上分子束外延α-Sn薄膜及其量子阱结构考虑[J].中国科学A辑,1998,41(2):166-170. |
| 作者姓名： | 易新建 郝建华 张新宇 |
| 作者单位： | 华中理工大学光电子工程系 武汉430074 |
| 摘 要： | 利用分子束外延 (MBE)在GaAs( 001)单晶衬底上进行了α Sn薄膜的生长 ,利用反射高能电子显微镜 (RHEED) ,原位监控α Sn的生长过程和利用透射电子显微镜 (TEM )分析了界面结构 .测试结果表明 ,与以往报道相比亚稳态的α Sn膜具有高得多的温度稳定性 (由 70℃提高到100℃ )和厚度稳定性 (由 500nm提高到 700nm) ,并观察到在其他电性能方面的改进.此外 ,还提出了一种新型量子阱结构. |
| 关 键 词： | 量子阱 量子尺寸效应 分子束外延 &alpha -Sn薄膜 异质结外延 |
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