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| 磷化物半导体纳米材料的合成和表面性质 | |
| 引用本文： | 潘教青,崔得良,黄柏标,周海龙,蒋民华.磷化物半导体纳米材料的合成和表面性质[J].中国科学A辑,2001,31(9):823-827. |
| 作者姓名： | 潘教青 崔得良 黄柏标 周海龙 蒋民华 |
| 作者单位： | (1)山东大学晶体材料国家重点实验室，济南 250100 ,中国 |
| 基金项目： | 教育部骨干教师基金资助项目(批准号: Y66040) |
| 摘 要： | 在低温（80～100℃）常压下用Na3P分别和GaCl3，InCl3反应制备了GaP，InP纳米材料，对材料的物相结构和微观形貌进行了表征. 研究了GaP纳米晶体在氮气中的表面反应活性，该纳米晶体的重量在370～480℃之间会增加，可以认为氮气分子被吸附在了GaP纳米晶体的表面并发生了活化反应. |
| 关 键 词： | 磷化铟 纳米材料 表面反应活性 磷化镓 |
| 收稿时间： | 2001-03-21 |
| 修稿时间： | 2001年3月21日 |
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