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ZnO及其缺陷的电子结构
引用本文:徐彭寿,孙玉明,施朝淑,徐法强,潘海斌.ZnO及其缺陷的电子结构[J].中国科学A辑,2001,31(4):358-365.
作者姓名:徐彭寿  孙玉明  施朝淑  徐法强  潘海斌
作者单位:(1)中国科学技术大学国家同步辐射实验室 ,合肥 230026 ,中国;(2)中国科学技术大学物理系 ,合肥 230026 ,中国
基金项目:国家自然科学基金资助项目(批准号: 59872037,19874057)
摘    要:利用全势线性Muffin-tin轨道(FP-LMTO)理论方法,计算了ZnO及其几种本征点缺陷的电子结构.计算的结果表明,ZnO中的Zn3d电子对其成键起重要作用. O2p与Zn3d的轨道杂化使价带变宽,带隙变小.Zn空位和O填隙分别在价带顶0.3和0.4 eV处产生浅受主能级.而Zn填隙在导带底0.5 eV处产生浅施主能级.但O空位则在导带底1.3 eV处产生深施主能级.根据以上结果,证明了Zn填隙是引起ZnO本征n型导电性的主要原因.

关 键 词:缺陷  电子结构  ZnO
收稿时间:2000-11-23
修稿时间:2000年11月23
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