ZnO及其缺陷的电子结构 |
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引用本文: | 徐彭寿,孙玉明,施朝淑,徐法强,潘海斌.ZnO及其缺陷的电子结构[J].中国科学A辑,2001,31(4):358-365. |
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作者姓名: | 徐彭寿 孙玉明 施朝淑 徐法强 潘海斌 |
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作者单位: | (1)中国科学技术大学国家同步辐射实验室 ,合肥 230026 ,中国;(2)中国科学技术大学物理系 ,合肥 230026 ,中国 |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(批准号:
59872037,19874057) |
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摘 要: | 利用全势线性Muffin-tin轨道(FP-LMTO)理论方法,计算了ZnO及其几种本征点缺陷的电子结构.计算的结果表明,ZnO中的Zn3d电子对其成键起重要作用. O2p与Zn3d的轨道杂化使价带变宽,带隙变小.Zn空位和O填隙分别在价带顶0.3和0.4 eV处产生浅受主能级.而Zn填隙在导带底0.5 eV处产生浅施主能级.但O空位则在导带底1.3 eV处产生深施主能级.根据以上结果,证明了Zn填隙是引起ZnO本征n型导电性的主要原因.
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关 键 词: | 缺陷 电子结构 ZnO |
收稿时间: | 2000-11-23 |
修稿时间: | 2000年11月23 |
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