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| InAlAs/InGaAs/InP异质结构的X射线双晶衍射研究 | |
| 引用本文： | 麦振洪,王超英,吴兰生,江潮,周钧铭.InAlAs/InGaAs/InP异质结构的X射线双晶衍射研究[J].中国科学A辑,1994,37(1):44-51. |
| 作者姓名： | 麦振洪 王超英 吴兰生 江潮 周钧铭 |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所 北京100080 |
| 摘 要： | 本文应用X射线双晶衍射技术结合X射线衍射动力学理论的计算模拟,研究了MBE生长的InGaAs/InAlAs/InP异质结结构材料的外延层生长条件与层厚、成分的关系,X射线双晶衍射形貌图表明:衬底和外延膜存在位错和沉淀物等缺陷,衬底的不完美性直接影响外延膜的质量,文中还应用X射线衍射动力学理论对所观察到的沉淀物衬度进行解释,指出沉淀物周围点阵受张应变场。 |
| 关 键 词： | X射线衍射 半导体薄膜 缺陷 |
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