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光折变材料KNSBN:Cu
引用本文:姜全忠,宋永远,孙大亮,吕新亮,陈焕矗.光折变材料KNSBN:Cu[J].中国科学A辑,1993,36(5):531-537.
作者姓名:姜全忠  宋永远  孙大亮  吕新亮  陈焕矗
作者单位:山东大学晶体材料研究所 济南 250100
摘    要:本文系统报道了KNSBN:Cu晶体的生长和光折变性能,分析了铜离子影响光折变性能的机制。研究表明:由于铜离子在能隙中形成深能级,电子迁移率下降;同时,光折变有效电荷复合中心浓度增加,两波耦合增益系数增大到纯KNSBN晶体的两倍,光折变灵敏度达 10-3cm2/J的数量级,而光折变性能受直流电场的影响减弱.KNSBSN:Cu晶体的自泵浦位相共轭反射率达65%,响应时间小于8s。

关 键 词:光折变  KNSBN  Cu晶体  晶体生长  光生伏打效应  自泵浦位相共轭
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