光折变材料KNSBN:Cu |
| |
引用本文: | 姜全忠,宋永远,孙大亮,吕新亮,陈焕矗.光折变材料KNSBN:Cu[J].中国科学A辑,1993,36(5):531-537. |
| |
作者姓名: | 姜全忠 宋永远 孙大亮 吕新亮 陈焕矗 |
| |
作者单位: | 山东大学晶体材料研究所 济南 250100 |
| |
摘 要: | 本文系统报道了KNSBN:Cu晶体的生长和光折变性能,分析了铜离子影响光折变性能的机制。研究表明:由于铜离子在能隙中形成深能级,电子迁移率下降;同时,光折变有效电荷复合中心浓度增加,两波耦合增益系数增大到纯KNSBN晶体的两倍,光折变灵敏度达 10-3cm2/J的数量级,而光折变性能受直流电场的影响减弱.KNSBSN:Cu晶体的自泵浦位相共轭反射率达65%,响应时间小于8s。
|
关 键 词: | 光折变 KNSBN Cu晶体 晶体生长 光生伏打效应 自泵浦位相共轭 |
|
| 点击此处可从《中国科学A辑》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《中国科学A辑》下载免费的PDF全文 |
|