| 离子注入Al0.25Ga0.75As/GaAs的Raman光谱研究 |
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| 引用本文： | 刘丕均,夏曰源,刘向东,卢贵武.离子注入Al0.25Ga0.75As/GaAs的Raman光谱研究[J].中国科学A辑,2001,31(9):851-856. |
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| 作者姓名： | 刘丕均 夏曰源 刘向东 卢贵武 |
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| 作者单位： | (1)山东大学物理系，济南 250100 ,中国 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(批准号:
19975030) |
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| 摘 要： | 0.8 MeV的Si离子注入Al0.25Ga0.75As/GaAs外延薄膜的弱损伤特征.注入剂量从1×1014～5×1015 cm-2，对注入后的样品采用了Raman光谱测量，观察到了两类声子模式，该外延材料的晶格振动显示出“双模”行为.并计算了在注入层中的应变以及晶格常数随剂量的变化.此外还测量了样品的Rutherford背散射和沟道谱(RBS/C)，结果表明与Raman光谱测量一致的结论：该注入条件只引起材料的弱损伤行为.
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| 关 键 词： | 掺杂 Raman光谱 Rutherford背散射测量 晶格应力 离子注入 |
| 收稿时间： | 2001-03-21 |
| 修稿时间： | 2001年3月21日 |
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