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半导体瞬态问题特征变网格有限元法和分析
引用本文:杨青.半导体瞬态问题特征变网格有限元法和分析[J].高等学校计算数学学报,2002,24(3):193-198.
作者姓名:杨青
作者单位:山东师范大学数学系,济南,250014
基金项目:国家自然科学基金资助项目,国家教育部博士点基金资助项目.
摘    要:1 引 言考虑平面区域Ω R2上的二维问题,其数学模型为1]-△ψ=α(p-e+N(x)),(x,t)∈Ω×J,J(0,T],(1.1)

关 键 词:半导体  瞬态问题  变网格有限元法
修稿时间:1999年6月24日

A MOVING GRID FINITE ELEMENT METHOD ALONG CHARACTERISTICS FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
Yang Qing.A MOVING GRID FINITE ELEMENT METHOD ALONG CHARACTERISTICS FOR SEMICONDUCTOR DEVICE[J].Numerical Mathematics A Journal of Chinese Universities,2002,24(3):193-198.
Authors:Yang Qing
Abstract:The mathematical model of semiconductor device is described by a parabolic-elliptic coupled system. A time-dependent variable grid characteristic finite element method is introduced and analyzed for the initial boundary value problem of this system. The optimal convergence rate in L2 is obtained with some minor constraints. A numerical experiment is presented.
Keywords:initial boundary value problem  variable grid  characteristic finite el-ement  error estimate  
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