| 半导体桥等离子体温度的原子发射光谱法测量 |
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| 引用本文： | 张文超,周彬,王文,秦志春,张琳,叶家海,田桂蓉.半导体桥等离子体温度的原子发射光谱法测量[J].原子与分子物理学报,2008,25(2):313-316. |
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| 作者姓名： | 张文超 周彬 王文 秦志春 张琳 叶家海 田桂蓉 |
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| 作者单位： | 南京理工大学化工学院,南京,210094 |
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| 摘 要： | 半导体桥生成的等离子体由于温度高、尺度小、持续时间短等特点,对其温度的瞬态测量是个难题.本文采用高速数字存贮示波器应用原子发射光谱双谱线法对半导体桥等离子体温度进行了实时瞬态测量,并对在22μF电容下不同充电电压对半导体桥等离子体温度的影响进行了系统的研究,得到了22μF电容下等离子体最高温度与充电电压的关系式Tmax=700.6 115.2U.
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| 关 键 词： | 半导体桥 等离子体 温度测量 原子发射光谱 半导体 等离子体 最高温度 原子发射光谱法 瞬态测量 method spectroscopic temperature plasma bridge semiconductor 关系式 研究 系统 影响 充电电压 电容 原子发射光谱双谱线法 示波器应用 高速数字 |
| 文章编号： | 1000-0364(2008)02-0313-04 |
| 收稿时间： | 8/8/2007 12:00:00 AM |
| 修稿时间： | 2007年8月8日 |
Measurement of semiconductor bridge plasma temperature using spectroscopic method |
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| ZHANG Wen-Chao,ZHOU Bin,WANG Wen,QIN Zhi-Chun,ZHANG Lin,YE Jia-Hai,TIAN Gui-Rong.Measurement of semiconductor bridge plasma temperature using spectroscopic method[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2008,25(2):313-316. |
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| Authors: | ZHANG Wen-Chao ZHOU Bin WANG Wen QIN Zhi-Chun ZHANG Lin YE Jia-Hai TIAN Gui-Rong |
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| Abstract: | It still remains a problem to determine the plasma temperature of semiconductor bridge(SCB) accurately due to its special characteristics such as high temperature,small volume and short during time etc.In this paper,we wish to report the real-time measurement of the plasma temperature of SCB based on the double-line method of atomic emission spectroscopy successfully using high-speed digital oscilloscope.The maximum temperatures of SCB plasma under different current voltages are obtained.The experimental re... |
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