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纳米级掺锑SnO2导电粉体的水热合成及性能研究
引用本文:卓立宏,谢海泉,郭应臣. 纳米级掺锑SnO2导电粉体的水热合成及性能研究[J]. 化学研究与应用, 2006, 18(1): 97-100
作者姓名:卓立宏  谢海泉  郭应臣
作者单位:南阳师范学院化学系,河南,南阳,473061;南阳师范学院化学系,河南,南阳,473061;南阳师范学院化学系,河南,南阳,473061
基金项目:河南省教育厅自然科学基金资助项目(No:2004150014)
摘    要:高纯二氧化锡是一禁带宽度达3·8eV的绝缘体,当产生氧空位或掺杂氟、铟、锑等元素后形成N型半导体,具有导电性能。常用于这些领域的N型半导体有掺铟氧化锡(ITO)、掺锑氧化锡(ATO)、掺铝或掺镓氧化锌(AZO、GZO)。由于ATO的机械性能和热稳定性比ITO高,作为抗静电材料广泛应用于涂

关 键 词:掺锑  二氧化锡  导电粉体  水热合成
文章编号:1004-1656(2006)01-0097-04
收稿时间:2005-04-11
修稿时间:2005-04-112005-08-11

Hydrothermal synthesis and property of nanometer conductive-powder of the antimony-doped SnO2
ZHUO Li-hong,XIE Hai-quan,GUO Ying-chen. Hydrothermal synthesis and property of nanometer conductive-powder of the antimony-doped SnO2[J]. Chemical Research and Application, 2006, 18(1): 97-100
Authors:ZHUO Li-hong  XIE Hai-quan  GUO Ying-chen
Affiliation:Department of Chemistry, Nanyang Normal University, Nanyang 473061, China
Abstract:
Keywords:antimony-doped  tin oxide  electrical properties  hydrothermal synthesis
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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