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| 用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷 | |
| 引用本文： | 邵云东,王柱,赵有文,唐方圆.用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷[J].武汉大学学报(理学版),2006,52(1):35-39. |
| 作者姓名： | 邵云东 王柱 赵有文 唐方圆 |
| 作者单位： | 1. 武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072 2. 中国科学院,半导体研究所,北京,100083 3. 四川大学,辐射物理及技术教育部重点实验室,成都,610065 |
| 基金项目： | 中国科学院资助项目;教育部重点实验室基金 |
| 摘 要： | 用正电子寿命谱和符合多普勒技术研究了电子辐照过的GaSb样品．揭示出原牛未掺杂GaSb样品中存在单空位型VGa相关缺陷，具有284ps左右的寿命值．电子辐照能使这种缺陷的浓度增大，使平均寿命值从辐照前的265Ps增大到辐照后的268ps．低温符合多普勒展宽实验结果表明退火后的电子辐照过的原生未掺杂GaSb样品中仍然存在反位缺陷Gasb．掺Zn、Te样品的实验也证实电子辐照在GaSb样品中会引入VGa，284 ps类型的缺陷． |
| 关 键 词： | 符合多普勒展宽 正电子湮没 电子辐照 缺陷 |
| 文章编号： | 1671-8836(2006)01-0035-05 |
| 修稿时间： | 2005年7月23日 |
Positron Annihilation Study of Defect in Semiconductor Material GaSb |
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| SHAO Yundong,WANG Zhu,ZHAO Youwen,TANG Fangyuan.Positron Annihilation Study of Defect in Semiconductor Material GaSb[J].JOurnal of Wuhan University:Natural Science Edition,2006,52(1):35-39. | |
| Authors: | SHAO Yundong WANG Zhu ZHAO Youwen TANG Fangyuan |
| Abstract: | |
| Keywords: | GaSb |
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