| 浮栅ROM器件辐射效应机理分析 |
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| 引用本文： | 贺朝会,耿斌,杨海亮,陈晓华,李国政,王燕萍.浮栅ROM器件辐射效应机理分析[J].物理学报,2003,52(9):2235-2238. |
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| 作者姓名： | 贺朝会 耿斌 杨海亮 陈晓华 李国政 王燕萍 |
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| 作者单位： | 西北核技术研究所,西安 710613 |
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| 摘 要： | 分析了浮栅ROM器件的辐射效应机理，合理地解释了实验中观察到的现象.指出辐射产生的电子空穴对在器件中形成的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷是导致存储单元及其外围电路出现错误的原因.浮栅ROM器件的中子、质子和60Co γ辐射效应都是总剂量效应 .
关键词：
FLASH ROM
EEPROM
中子
质子
60Co γ')" href="#">60Co γ
总剂量效应
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| 关 键 词： | FLASH ROM EEPROM 中子 质子 60Co γ 总剂量效应 |
| 文章编号： | 1000-3290/2003/52(09)2235-04 |
| 收稿时间： | 2002-09-18 |
| 修稿时间： | 2002年9月18日 |
Mechanism of radiation effects in floating gate ROMs |
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| He Chao-Hui,Geng Bin,Yang Hai-Liang,Chen Xiao-Hu,Li Guo-Zheng and Wang Yan-Ping.Mechanism of radiation effects in floating gate ROMs[J].Acta Physica Sinica,2003,52(9):2235-2238. |
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| Authors: | He Chao-Hui Geng Bin Yang Hai-Liang Chen Xiao-Hu Li Guo-Zheng and Wang Yan-Ping |
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| Abstract: | Mechanism of irradiation effects is analyzed for floating gate read only memorie s (ROMs). Phenomena in experiments are reasonably explained. It is proposed that failures in devices result from oxide trapped charge and interface trapped char ge generated by radiation in memory cells and peripheral circuitry. The neutron, proton and 60Co γ irradiation effects in FLASH ROM and EEPROM a re total dose effects. |
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| Keywords: | FLASH ROM EEPROM neutron proton 60Co γ total do se effect |
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