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| ZnMO(M=Cd,Mg)纳米管发光性能的第一性原理研究 | |
| 作者姓名： | 雷哲锋 王发展 王欣 陈霞 王博 |
| 作者单位： | 1. 西安建筑科技大学材料科学与工程学院,西安,710055 2. 西安建筑科技大学机电工程学院,西安,710055 |
| 基金项目： | 陕西省自然科学基础研究计划重点项目,陕西省纳米材料与技术重点实验室项目,西安市产学研合作项目 |
| 摘 要： | 采用热蒸发法制备得到掺Cd量为3.3at%的ZnO纳米管,室温光致发光谱(PL)显示,由于Cd的掺入,ZnCdO纳米管的紫外近带边发射(UV NBE)从纯ZnO的3.26 eV红移到3.20 eV附近。应用基于密度泛函理论研究锯齿型(9,0)ZnMO(M=Cd,Mg)单壁纳米管的电子结构。分析发现Cd掺杂纳米管与薄膜相似,能隙随掺杂量增加逐渐减小,出现红移;而Mg掺杂纳米管则不同,能带变化没有规律性。 |
| 关 键 词： | ZnO纳米管 Cd掺杂 Mg掺杂 红移 |
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