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| PbLa（ZrSnTi）O3弛豫反铁电单晶的畴结构与成畴机制 | |
| 引用本文： | 杨子,李强,李媛媛,张绍锋. PbLa（ZrSnTi）O3弛豫反铁电单晶的畴结构与成畴机制[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(3): 559-563 |
| 作者姓名： | 杨子 李强 李媛媛 张绍锋 |
| 作者单位： | 1. 清华大学化学系,北京,100084 2. 烁光特晶科技有限公司,北京,100018 |
| 摘 要： | 使用助熔剂法生长了PbLa(ZrSnTi)O3弛豫反铁电单晶,使用偏光显微镜对单晶中的畴进行了观察。结果表明,在(001)面上,PbLa(ZrSnTi)O3单晶中存在[110]走向和[110]走向的畴,以及[100]走向和[010]走向的亚畴。对PbLa(ZrSnTi)O3单晶的成畴机制进行了分析,引入微区应力成畴机制解释了单晶中[110]走向和[110]走向的畴结构,而对[100]走向和[010]走向的亚畴结构则要同时考虑极性微区中自发极化的影响。 |
| 关 键 词： | PbLa(ZrSnTi)O3单晶 畴结构 成畴机制 |
Domain Structure and Mechanism of PbLa( ZrSnTi) O3 Relaxor Antiferroelectric Single Crystal |
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| YANG Zi , LI Qiang , LI Yuan-yuan , ZHANG Shao-feng. Domain Structure and Mechanism of PbLa( ZrSnTi) O3 Relaxor Antiferroelectric Single Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2012, 41(3): 559-563 | |
| Authors: | YANG Zi LI Qiang LI Yuan-yuan ZHANG Shao-feng |
| Affiliation: | 1.Department of Chemistry,Tsinghua University,Beijing 100084,China;2.Bright Crystals Technology INC.,Beijing 100018,China) |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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