| BN坩埚中的AlN单晶生长 |
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| 引用本文： | 李娟,胡小波,姜守振,王英民,宁丽娜,陈秀芳,徐现刚,王继扬,蒋民华.BN坩埚中的AlN单晶生长[J].人工晶体学报,2006,35(2):435-436. |
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| 作者姓名： | 李娟 胡小波 姜守振 王英民 宁丽娜 陈秀芳 徐现刚 王继扬 蒋民华 |
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| 作者单位： | 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.50472068)，教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目 |
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| 摘 要： | AlN是第三代直接宽带隙半导体材料的代表,具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,在制作大功率微电子器件和紫外探测器等方面,具有广泛的应用前景。A lN在光电子领域的应用潜力也不容忽视。A lN作为GaN材料的衬底,与目前广泛使用的SiC和宝石衬底相
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| 修稿时间： | 2006年1月9日 |
Growth of AlN Single Crystals in BN Crucible |
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| LI Juan,HU Xiao-bo,JIANG Shou-zhen,WANG Ying-min,NING Li-na,CHEN Xiu-fang,XU Xian-gang,WANG Ji-yang,JIANG Min-hua.Growth of AlN Single Crystals in BN Crucible[J].Journal of Synthetic Crystals,2006,35(2):435-436. |
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| Authors: | LI Juan HU Xiao-bo JIANG Shou-zhen WANG Ying-min NING Li-na CHEN Xiu-fang XU Xian-gang WANG Ji-yang JIANG Min-hua |
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