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对半导体pn结接触电势的一个讨论
引用本文:茹国平.对半导体pn结接触电势的一个讨论[J].大学物理,2003,22(6):10-13.
作者姓名:茹国平
作者单位:复旦大学,微电子学系,上海,200433
基金项目:上海市教委和上海市教育发展基金会曙光计划资助项目
摘    要:讨论了半导体pn结内建电场和接触电势的形成与可测性,回答了在半导体物理学pn结内容教学中学生经常会提出的一个似是而非的问题.从热力学第一定律、金属-半导体接触等不同角度详细解释了热平衡(零偏下)时pn结不可能对外输出电压和电流的原因.

关 键 词:pn结  金属-半导体接触  接触电势  内建电场
文章编号:1000-0712(2003)06-0010-04
修稿时间:2001年12月24

Discussion on contact potential of a semiconductor pn junction
RU Guo,ping.Discussion on contact potential of a semiconductor pn junction[J].College Physics,2003,22(6):10-13.
Authors:RU Guo  ping
Abstract:The formation and measurability of built in electrical field and contact potential in a semiconductor pn junction are discussed,and a paradox that students usually raised is answered. It is explained from both thermodynamics and metal semiconductor contact points of view why a pn junction cannot output voltage or current at a thermal equilibrium condition(under a zero bias).
Keywords:pn junction  metal  semiconductor contact  contact potential  built  in field  
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