| 量子材料GaTa4Se8的基态研究 |
| |
| 引用本文： | 邓宏芟,张建波,王东,胡清扬,丁阳.量子材料GaTa4Se8的基态研究[J].高压物理学报,2022(1):21-30. |
| |
| 作者姓名： | 邓宏芟 张建波 王东 胡清扬 丁阳 |
| |
| 作者单位： | 北京高压科学研究中心 |
| |
| 基金项目： | 国家重点研发计划（2018YFA0305703）；;国家自然科学基金委-中国工程物理研究院NSAF联合基金（U1930401）；;国家自然科学基金（11874075）； |
| |
| 摘 要： | 量子材料GaTa4Se8(GTS)不仅展现出绝缘体到金属相变、Jeff量子态以及拓扑超导等多种有趣的物理性质,而且还是电阻开关和存储介质材料,一直以来备受关注。当前科学家们对其绝缘基态的结构仍存在争议,基态结构的不确定阻碍了对其各种物理性质的深入理解。GaTa4Se8的绝缘基态长期被认为具有立方对称结构(空间群F43m),其电子能隙是由自旋轨道耦合效应和电子关联共同作用形成的Mott型能隙。最近第一性原理计算表明,立方结构的声子谱存在虚频而不稳定,并预测立方对称存在结构畸变会形成更稳定的三方结构(R3m)或四方结构(F431m)。为此,本研究通过压力调节该材料的电子能隙,结合Raman光谱、X射线衍射、电阻测量等多种实验表征手段,对比实验得到的数据与第一性原理计算结果,进一步探索GaTa4Se8的基态结构。研究表明三方对称结构(R3m)更符合实验观察结果。
|
| 关 键 词： | Mott绝缘体 金属-绝缘体相变 高压Raman光谱 |
Ground State Study of Quantum Material GaTa4Se8 |
| |
| DENG Hongshan,ZHANG Jianbo,WANG Dong,HU Qingyang,DING Yang.Ground State Study of Quantum Material GaTa4Se8[J].Chinese Journal of High Pressure Physics,2022(1):21-30. |
| |
| Authors: | DENG Hongshan ZHANG Jianbo WANG Dong HU Qingyang DING Yang |
| |
| Institution: | (Center for High Pressure Science and Technology Advanced Research,Beijing 100094,China) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Mott insulator insulator to metal transition high-pressure Raman spectrum |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ |
|
