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| 高厚度n型β-Ga2O3薄膜的MOCVD制备 | |
| 作者姓名： | 李政达 焦腾 董鑫 刁肇悌 陈威 |
| 作者单位： | 吉林大学 电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点联合实验室, 吉林 长春 130012 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(61774072)资助项目~~； |
| 摘 要： | 高厚度的Ga2 O3薄膜能够提高器件的击穿电压,这种高厚度Ga2 O3薄膜往往是通过HVPE法制备的.然而HVPE法存在着成本高、设备少等缺点.本文通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺,以SiH4为n型掺杂源,在Ga2 O3衬底上生长了高厚度的n型β-Ga2 O3薄膜,并且研究了SiH4流量对β-Ga2 O3性质... |
| 关 键 词： | 氧化镓 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 高厚度薄膜 |
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