Si(111)衬底GaN薄膜的制备与特性 |
| |
引用本文: | 杨莺歌,马洪磊,郝晓涛,马瑾,薛成山,庄惠照.Si(111)衬底GaN薄膜的制备与特性[J].中国科学A辑,2002,32(12):1102-1105. |
| |
作者姓名: | 杨莺歌 马洪磊 郝晓涛 马瑾 薛成山 庄惠照 |
| |
作者单位: | (1)山东大学物理与微电子学院 ,济南 250100 ,中国;(2)山东师范大学半导体研究所 ,济南 250014 ,中国 |
| |
基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(批准号: 6771006) |
| |
摘 要: | 用溅射后退火反应法在Si(111)衬底上制备的高质量GaN薄膜. XRD, XPS, SEM和PL测量结果表明该方法制备的GaN是六角纤锌矿结构的多晶. GaN的最大晶粒尺寸约为100 nm. 在354 nm处发现强室温光致发光峰, 带隙相对于体GaN发生了轻微蓝移.
|
关 键 词: | 氮化镓 硅衬底 光致发光 |
收稿时间: | 2002-04-10 |
修稿时间: | 2002年4月10日 |
本文献已被 万方数据 等数据库收录! |
| 点击此处可从《中国科学A辑》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《中国科学A辑》下载免费的PDF全文 |
|