|
|||||
|
|
| 多孔硅制备过程中B,P杂质原子的作用 | |
| 引用本文： | 潘必才;,夏上达.多孔硅制备过程中B,P杂质原子的作用[J].物理学报,1995,44(5):745-754. |
| 作者姓名： | 潘必才; 夏上达 |
| 作者单位： | 中国科学技术大学物理系,合肥230026 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助的课题 |
| 摘 要： | 采用DV-Xα方法对多孔硅形成过程中位于表层的B和P杂质原子的作用进行研究,结果表明位于顶层硅原子层中的B和P杂质原子均可削弱其邻近的Si-Si键强度,因而可能导致出现腐蚀的突破点,再通过分析杂质对表面区势场的改变,可以认为位于顶层硅原子层中的B杂质原子产生腐蚀的突破点的可能性更大。
关键词： |
| 关 键 词： | 硅 多孔硅 杂质 掺杂 B杂质 P杂质 |
| 收稿时间： | 1994-03-28 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 | |