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| 宽禁带II—VI族化合物半导体薄膜及超晶格的外延生长及特性研究 | |
| 引用本文： | 王杰,俞根才.宽禁带II—VI族化合物半导体薄膜及超晶格的外延生长及特性研究[J].物理学报,1995,44(9):1471-1479. |
| 作者姓名： | 王杰 俞根才 |
| 摘 要： | 介绍了宽禁带ＩＩ－ＶＩ族化合物半导体ＺｎＳｅ，ＺｎＳＳｅ和ＺｎＣｄＳｅ外延膜及它们的超晶格的分子束外延生长。用Ｘ射线衍射法（ＸＲＤ）和光致发光（ＰＬ）法分别对其结构特性和光学特性进行了研究。尤其是对超晶格样品所进行的温度变化的ＰＬ研究，得出了对于ＺｎＳｅ／ＺｎＳＳｅ超晶格，其激子激活能（Ｅａｃｔ）仅为１７ｍｅＶ，我们用ＺｎＳｅ／ＺｎＳＳｅ导带不连续较小来解释这个结果。而对于ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ超 |
| 关 键 词： | 宽禁带 化合物半导体 半导体 超晶格 外延生长 |
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