| 液封坩埚下降法生长非掺杂InP单晶的特性研究 |
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| 引用本文： | 康俊勇,黄启圣,松本文夫,福田承生.液封坩埚下降法生长非掺杂InP单晶的特性研究[J].发光学报,1997(3). |
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| 作者姓名： | 康俊勇 黄启圣 松本文夫 福田承生 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系，东北大学金属材料研究所 |
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| 基金项目： | 国家和福建省自然科学基金,留学回国人员启动基金 |
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| 摘 要： | 用液封坩埚下降（ＬＥ－ＶＢ）法沿〈１００〉晶向成功地生长了非掺杂ＩｎＰ单晶．ＬＥ－ＶＢ晶体的４．２Ｋ光致发光谱包含束缚于中性浅受主上的激子发光、与Ｚｎ受主相关的施主－受主（ＤＡ）对发光及其声子伴线、以及与本征缺陷等有关的深能级发光三部分．通过与液封直拉（ＬＥＣ）生长的籽晶的光致发光谱比较表明，在ＬＥ－ＶＢ晶体中，束缚于中性浅受主上的激子发光与籽晶中的相差不大；ＤＡ对发光的晶格弛豫比籽晶中的小；与本征缺陷等有关的深能级发光强度比籽晶中的弱．晶体的室温光致发光谱仅包含带—带发光，其发光强度形貌测试结果表明，ＬＥ－ＶＢ晶体的带—带发光强度比ＬＥＣ籽晶的强．用Ｈｕｂｅｒ法对晶片腐蚀的结果表明，在ＬＥ－ＢＶ晶体中，位错密度仅为ＬＥＣ籽晶中的三分之一．分析认为，在ＬＥ－ＶＢ晶体中，本征缺陷和位错等浓度较低，可能是其带—带发光强度比在ＬＥＣ籽晶中强的物理起因．
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| 关 键 词： | 化合物半导体，光致发光，晶体生长 |
PROPERTIES OF UNDOPED BULK InP GROWN BY LIQUIDENCAPSULATED VERTICAL BRIDGMAN TECHNIQUE |
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| Kang Junyong,Huang Qisheng.PROPERTIES OF UNDOPED BULK InP GROWN BY LIQUIDENCAPSULATED VERTICAL BRIDGMAN TECHNIQUE[J].Chinese Journal of Luminescence,1997(3). |
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| Authors: | Kang Junyong Huang Qisheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | compound semiconductor photoluminescence crystal growth |
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