波段外10.6 μm激光辐照中红外PV型HgCdTe光电探测器机理分析

用波长为10.6 μm的波段外连续波激光辐照PV型HgCdTe中红外光电探测器，得到了不同辐照功率密度下探测器的响应输出随激光功率密度变化的一系列实验结果。观察到探测器对波段外激光的电压响应方向与波段内激光的电压响应方向相同，随波段外激光功率密度升高，探测器的电压响应值先增大后减小。分析认为:该现象是由于探测器材料的弱吸收和基底材料的强吸收在不同时刻产生的不同的温度梯度，与材料的整体温升共同作用的结果。该温度梯度在探测器内产生温差电动势，而热激发的电子空穴对在温度梯度的作用下定向运动被结电场分离，产生热生电动势,热生电动势是波段外激光辐照下PV型探测器中电动势产生的主要机制。