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电子束蒸发制备ZnO:Al透明导电膜及其性能研究
引用本文:王子健,王海燕,郜小勇,吴芳,李红菊,杨根,刘绪伟,卢景霄.电子束蒸发制备ZnO:Al透明导电膜及其性能研究[J].人工晶体学报,2006,35(6):1355-1358,1367.
作者姓名:王子健  王海燕  郜小勇  吴芳  李红菊  杨根  刘绪伟  卢景霄
作者单位:郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,郑州,450052
摘    要:在本实验中我们利用电子束蒸发方法在玻璃衬底上制备了ZnO:A l透明导电膜,并对所得样品在400℃下进行了退火处理。利用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌,利用分光光度计分析了样品的光学性质,结果表明所得样品在可见光范围具有较好的透光性。利用四探针对其进行了电学性质的测量,表明衬底温度为200℃时制备的样品电阻率可达6×10-3Ω.cm。

关 键 词:电子束蒸发  ZnO∶Al薄膜  衬底温度
文章编号:1000-985X(2006)06-1355-04
收稿时间:2006-02-28
修稿时间:2006-02-282006-07-19

Research in Electrical and Optical Properties of ZnO:Al Films Prepared by Electron Beam Evaporation
WANG Zi-jian,WANG Hai-yan,GAO Xiao-yong,WU Fang,LI Hong-ju,YANG Gen,LIU Xu-wei,LU Jing-xiao.Research in Electrical and Optical Properties of ZnO:Al Films Prepared by Electron Beam Evaporation[J].Journal of Synthetic Crystals,2006,35(6):1355-1358,1367.
Authors:WANG Zi-jian  WANG Hai-yan  GAO Xiao-yong  WU Fang  LI Hong-ju  YANG Gen  LIU Xu-wei  LU Jing-xiao
Abstract:
Keywords:electron beam evaporation  ZnO:Al films  substrate temperature
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