| 稀土掺杂硅基薄膜的高效发光特性 |
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| 引用本文： | 元美玲,汪庆年,张晓峰,王水凤,姜乐.稀土掺杂硅基薄膜的高效发光特性[J].发光学报,2005,26(5):651-654. |
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| 作者姓名： | 元美玲 汪庆年 张晓峰 王水凤 姜乐 |
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| 作者单位： | [1]南昌大学物理系,江西南昌330047 [2]南昌大学信息工程学院,江西南昌330029 [3]南昌大学材料科学与工程系,江西南昌330047 [4]南昌大学信息中心,江西南昌330047 |
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| 摘 要： | 测量了在不同离子注入剂量，不同退火条件下的Nd注入Si基晶片室温光致发光谱，结果表明它们均具有蓝、紫发光峰，且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大，随退火条件的不同而改变。在实验室条件下，对掺杂硅片和单晶硅片进行电化学腐蚀制成多孔硅样片，同时用适当配比的HNO3对以单晶硅为基底的多孔硅进行处理，测试了腐蚀后各类样品的光致发光（PL）谱。发现掺稀土Nd的多孔硅和用HNO3处理的多孔硅的发光效率有显著提高。
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| 关 键 词： | Nd掺杂 多孔硅 酸处理 光致发光 |
| 文章编号： | 1000-7032（2005）05-0651-04 |
| 收稿时间： | 2004-08-25 |
| 修稿时间： | 2004-12-16 |
Photoluminescence Properties of Rare-earth Doped Si-based Films |
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| YUAN Mei-ling, WANG Qing-nian, ZHANG Xiao-feng, WANG Shui-feng, JIANG Lem,.Photoluminescence Properties of Rare-earth Doped Si-based Films[J].Chinese Journal of Luminescence,2005,26(5):651-654. |
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| Authors: | YUAN Mei-ling WANG Qing-nian ZHANG Xiao-feng WANG Shui-feng JIANG Lem |
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| Institution: | 1. Department of Physics, Nanchang University, Nanchang 330047, China; 2. Information Engineering School, Nanchang University, Nanchang 330029, China ; 3. Department of Materials Science and Engineering, Nanchang University, Nanchang 330047, China ; 4, Information Center, Nanchang University, Nanchang 330047, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Nd doped porous treaded by acid photoluminescence |
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