| 基于增强型CCD光场高阶相干度的测量 |
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| 引用本文： | 曹晋凯,杨鹏飞,田亚莉,毋伟,张鹏飞,李刚,张天才.基于增强型CCD光场高阶相干度的测量[J].光学学报,2019,39(7):164-169. |
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| 作者姓名： | 曹晋凯 杨鹏飞 田亚莉 毋伟 张鹏飞 李刚 张天才 |
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| 作者单位： | 山西大学光电研究所量子光学与光量子器件国家重点实验室极端光学协同创新中心,山西太原,030006;山西大学光电研究所量子光学与光量子器件国家重点实验室极端光学协同创新中心,山西太原,030006;山西大学光电研究所量子光学与光量子器件国家重点实验室极端光学协同创新中心,山西太原,030006;山西大学光电研究所量子光学与光量子器件国家重点实验室极端光学协同创新中心,山西太原,030006;山西大学光电研究所量子光学与光量子器件国家重点实验室极端光学协同创新中心,山西太原,030006;山西大学光电研究所量子光学与光量子器件国家重点实验室极端光学协同创新中心,山西太原,030006;山西大学光电研究所量子光学与光量子器件国家重点实验室极端光学协同创新中心,山西太原,030006 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;重点学科建设计划 |
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| 摘 要： | 光场的高阶关联特性是揭示光的统计行为的重要特征。采用传统的HBT(Hanbury-Brown and Twiss)实验模型测量多光子高阶关联时,会受到单光子探测器和分束器数量的限制,测量起来比较复杂。提出了一种利用增强型电荷耦合器件(ICCD)快速测量光场高阶关联的方法。通过改变曝光时间和光照强度(计数率)对赝热光场和相干光场的高阶相干度进行测量和分析。结果表明:在适当的条件下,可以确定光场的高阶相干度。当曝光时间为600 ns、计数率为5.12×10~8 s~(-1)时,实测赝热光场的2阶和3阶相干度分别为g~((2))_T(0)=1.79±0.20,g~((3))_T(0)=4.94±0.59。对多达4阶的光场相干度进行了测量,该结果能在理论上得到较好的解释。该实验方法有望应用于某些光源的高阶相干性测量和研究方面,对揭示光场的高阶关联行为具有一定意义。
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| 关 键 词： | 测量 量子光学 高阶相干度 增强型电荷耦合器件 赝热光场 相干光场 |
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