| 填充式方钴矿化合物CeOs4Sb12近藤相互作用的非弹性中子散射研究 |
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| 引用本文： | 杨昌平,周智辉,王浩,K. Iwasa,M. Kohgi. 填充式方钴矿化合物CeOs4Sb12近藤相互作用的非弹性中子散射研究[J]. 物理学报, 2006, 55(12) |
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| 作者姓名： | 杨昌平 周智辉 王浩 K. Iwasa M. Kohgi |
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| 摘 要： | CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3.1 meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317 K.
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| 关 键 词： | 非弹性中子散射 填充式方钴矿 近藤绝缘体 |
Kondo interactions in the CeOs4Sb12 skutterudite studied by inelastic neutron scattering |
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| Yang Chang-Ping,Zhou Zhi-Hui,Wang Hao,K. Iwasa,M. Kohgi. Kondo interactions in the CeOs4Sb12 skutterudite studied by inelastic neutron scattering[J]. Acta Physica Sinica, 2006, 55(12) |
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| Authors: | Yang Chang-Ping Zhou Zhi-Hui Wang Hao K. Iwasa M. Kohgi |
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