| 单晶材料的新发展及其对生长技术的挑战 |
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| 引用本文： | 徐家跃. 单晶材料的新发展及其对生长技术的挑战[J]. 人工晶体学报, 2003, 32(5): 469-475 |
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| 作者姓名： | 徐家跃 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050 |
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| 摘 要： | 近年来,宽带隙半导体GaN、SiC、ZnO,弛豫铁电体PZNT,热电半导体β-FeSi2,超导体MgB2等功能晶体材料引起了人们的广泛关注.这些材料大多具有非常优异的性能和巨大的应用前景,但生长工业应用的体单晶非常困难.本文从晶体生长技术角度综述了这些晶体的研究进展,结合其物理化学特性探讨了单晶生长中遇到的一些关键问题.通观这些热点单晶材料的研究现状,一方面我们可以把晶体膜的制备技术看作是传统晶体生长技术的延伸,另一方面,膜技术的发展和单晶生长中存在的问题,也是对传统生长工艺的挑战.
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| 关 键 词： | 半导体 单晶 生长技术 |
| 文章编号： | 1000-985X(2003)05-0469-07 |
| 修稿时间： | 2003-03-31 |
Recent Development of Single Crystals: A Challenge to Crystal Growth Technique |
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| XU Jia-yue. Recent Development of Single Crystals: A Challenge to Crystal Growth Technique[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2003, 32(5): 469-475 |
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| Authors: | XU Jia-yue |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | semiconductor single crystal growth technique |
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