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| 纳米电子学中超高密度信息存储研究的新进展 | |
| 引用本文： | 庞世谨,薛增泉.纳米电子学中超高密度信息存储研究的新进展[J].物理,1998,27(2):65-67. |
| 作者姓名： | 庞世谨 薛增泉 |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所，中国科学院凝聚态物理中心北京真空物理实验室，中国科学院凝聚态物理中心北京真空物理实验室 |
| 摘 要： | 超高密度信息存储是纳米电子学的重要课题，我们根据电荷转移原理，在有机复合薄膜上用扫描隧道显微镜首次得到直径为１３ｎｍ的信息点阵．信息记录点的形成起源于薄膜的局域电导变化，即此有机薄膜具有电学双稳态特性 |
| 关 键 词： | 信息存储，有机复合薄膜，扫描隧道显微镜 |
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