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| 荧光XAFS研究Si可稀浓度杂质的区域结构 | |
| 引用本文： | 亏世强.荧光XAFS研究Si可稀浓度杂质的区域结构[J].化学物理学报,1998,11(5):385-386. |
| 作者姓名： | 亏世强 |
| 作者单位： | 中国科学技术大学基础物理中心 |
| 摘 要： | 荧光ＸＡＦＳ研究Ｓｉ晶体中等电子，缺电子和富电子杂质原子的区域环境结构。结果表明杂质原子的电子构型决定了杂质原子对Ｓｉ区域晶格形变的影响。相对于共价键长ＲＳｉ－Ｓｉ（０．２４０ｎｍ）来说，富电子杂质Ａｓ导致Ｓｉ晶格在Ｓｉ（１１１）方向的ＲＡｓ－Ｓｉ键长产生０．００４ｎｍ的反应增长，等电子杂质Ｇｅ的Ｒ－Ｇｒｅ－Ｓｉ和缺电子杂质Ｇａ和ＲＧａ－Ｓｉ键长收缩０．００２ｎｍ。 |
| 关 键 词： | 硅晶体 锗 镓 砷 杂质 区域结构 XAFS |
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