| (Ga,Mn)As光调制反射光谱 |
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| 作者姓名： | 王志路 孙宝权 |
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| 作者单位： | 1.唐山师范学院, 初等教育学院,河北 唐山,063000;2.中国科学院半导体研究所, 超晶格国家重点实验室 北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(60676054) |
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| 摘 要： | 室温下我们研究了稀磁半导体(Ga,Mn)As的光调制反射(PR)光谱,观测到来自样品的Franz-Keldysh振荡(FKO)信号。随着Mn原子浓度的增加,PR线形展宽,但是临界点E0和E0+Δ0没有明显的移动。根据FKO振荡数据,计算得到样品表面电场强度随Mn原子掺杂浓度的增加而增强。测量到与Mn原子掺杂相关的杂质带,其能量位置离GaAs价带边~100meV。根据样品的表面电场强度和表面耗尽层模型,估算样品的空穴浓度为~1017cm-3,较低的空穴浓度可能与样品具有较低的居里温度有关,或测量的PR信号来自于样品中外延层的部分耗尽区域。
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| 关 键 词： | 稀磁半导体 PR光谱 Mn杂质带 |
| 文章编号： | 1000-7032（2007）04-0557-04 |
| 收稿时间： | 2006-08-25 |
| 修稿时间： | 2006-08-252006-11-24 |
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