| InN纳米线的低压化学气相沉积及其场发射特性研究 |
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| 作者姓名： | 叶凡 蔡兴民 王晓明 赵建果 谢二庆 |
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| 作者单位： | (1)兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000; (2)深圳大学物理科学学院,深圳 518060 |
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| 摘 要： | 利用低压化学气相沉积方法在以Au作催化剂的Si衬底上生长了InN纳米线. 扫描电子显微镜分析表明,这些纳米线的直径在60—100 nm的范围内, 而其长度大于1 μm.高分辨透射电子显微镜图像表明,合成的纳米线中含有六方相和立方相的InN晶体.这些InN纳米线具有良好的场发射特性和稳定的场发射电流,其开启场为10.02 V/μm(电流密度为10 μA/cm2),在24 V/μm 的电场下,其电流密度达到5.5 mA/cm2.此外,对InN纳米线的场发射机理也进行了讨论.
关键词：
InN纳米线
场电子发射
非线性Fower-Nordheim曲线
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| 关 键 词： | InN纳米线 场电子发射 非线性Fower-Nordheim曲线 |
| 文章编号： | 1000-3290/2007/56(04)/2342-05 |
| 收稿时间： | 2006-07-12 |
| 修稿时间： | 2006-07-12 |
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