| 一维光子晶体中亚波长缺陷膜对Goos-Hnchen位移的调制特性 |
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| 引用本文： | 胡瑞红,施解龙,侯鹏,肖剑峰.一维光子晶体中亚波长缺陷膜对Goos-Hnchen位移的调制特性[J].光子学报,2009,38(6):1427-1431. |
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| 作者姓名： | 胡瑞红 施解龙 侯鹏 肖剑峰 |
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| 作者单位： | （上海大学 物理系|上海 200444） |
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| 摘 要： | 利用传输矩阵法分析一维光子晶体中亚波长缺陷膜对缺陷模频率处Goos-Hnchen位移的调制特性,讨论了亚波长缺陷膜的厚度、磁导率及介电常量对一维光子晶体缺陷模频率处的Goos-Hnchen位移的影响.研究发现：一层几何厚度极小的亚波长薄膜即可非常灵敏地调制一维光子晶体缺陷模频率处Goos-Hnchen位移的位置及其大小;并且当亚波长缺陷膜为左手材料时,Goos-Hnchen位移随亚波长缺陷膜物理参量的变化趋势与普通右手材料时的情形完全相反.
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| 关 键 词： | 光子晶体 亚波长材料 Goos-Hnchen位移 复合缺陷 |
| 收稿时间： | 2008-03-06 |
| 修稿时间： | 2008-06-24 |
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