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| C掺杂Mn3Ge的电子结构和磁性 | |
| 作者姓名： | 张雪颖 冯琳 |
| 作者单位： | 太原理工大学物理与光电工程学院,山西太原030024;太原理工大学物理与光电工程学院,山西太原030024 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金（51301119）、山西省青年科技研究基金（2013021010-1）及太原理工大学校基金（1205-04020102）资助项目 |
| 摘 要： | 采用第一性原理计算方法研究C掺杂对Mn3Ge的影响.对Mn3-xGeCx的晶体结构进行几何优化,发现C原子最稳定的掺杂位置在正八面体的中心位置.研究其电子结构和总磁矩随C掺杂量的变化,发现总磁矩随着C浓度的增加先减小后增大,其中Mn3GeC0.4总磁矩接近零,可以实现完全的磁性补偿.研究Mn3GeC0.4多层膜的磁性,给出总磁矩接近零的Mn3GeC0.4多层膜结构,为Mn3Ge的实际应用提供参考. |
| 关 键 词： | Heusler合金 Mn3Ge C掺杂 磁性 |
| 收稿时间： | 2018-09-25 |
| 修稿时间： | 2018-11-30 |
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