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磁性量子元胞自动机逻辑电路的转换特性研究
作者姓名:杨晓阔  蔡理  康强  柏鹏  赵晓辉  冯朝文  张立森
作者单位:(1)空军工程大学科研部,西安 710051; (2)空军工程大学理学院,西安 710051; (3)空军工程大学综合电子信息系统研究中心,西安 710051
基金项目:国家高技术研究发展计划(批准号:2008AAJ225)和陕西省电子信息系统综合集成重点实验室基金(批准号:201115Y15)资助的课题.
摘    要:本文研究了磁性量子元胞自动机反相器和择多逻辑门等基本逻辑电路在不同纳磁体厚度和间距下的转换特性.采用单畴近似LLG方程对纳磁体以及电路进行了建模和仿真,结果表明更厚的纳磁体需要更大的转换磁脉冲,大厚度纳磁体逻辑电路表现出较慢的转换;相同厚度和间距下,择多逻辑门比反相器的转换时间略长.此外,模拟结果还表明纳磁体间距对反相器的转换过程影响明显,而对择多逻辑门则影响较小. 关键词: 磁性量子元胞自动机 转换特性 厚度和间距 逻辑电路

关 键 词:磁性量子元胞自动机  转换特性  厚度和间距  逻辑电路
收稿时间:2010-09-27
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