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| 羟基饱和锯齿型石墨烯纳米带的电子结构 | |
| 作者姓名： | 陶强 胡小颖 朱品文 |
| 作者单位： | (1)长春大学理学院,长春 130022; (2)长春大学理学院,长春 130022;吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春 130012; (3)吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春 130012 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:51002061,51002014)和吉林省自然科学基金(20101514)资助的课题. |
| 摘 要： | 利用密度泛函理论,计算了羟基饱和锯齿型石墨烯纳米带(OH-ZGNRs)的相对稳定性和外加横向电场对其电子结构的影响.计算结果表明:OH-ZGNRs比氢饱和ZGNRs(H-ZGNRs)更为稳定,具有窄带隙自旋极化基态.此外,在外加横向电场作用下,OH-ZGNRs可实现半导体到半金属相转变.
关键词：
石墨烯纳米带
密度泛函理论
电场 |
| 关 键 词： | 石墨烯纳米带 密度泛函理论 电场 |
| 收稿时间： | 2010-11-01 |
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