| GaAs：Cr探测器中子辐照改性研究 |
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| 引用本文： | 刘慎业 徐荣昆. GaAs：Cr探测器中子辐照改性研究[J]. 强激光与粒子束, 1993, 5(2): 239-242 |
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| 作者姓名： | 刘慎业 徐荣昆 |
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| 作者单位： | 西南核物理与化学研究所，西南核物理与化学研究所，西南核物理与化学研究所，西南核物理与化学研究所，西南核物理与化学研究所 成都525信箱77分箱 610003，成都525信箱77分箱 610003，成都525信箱77分箱 610003，成都525信箱77分箱 610003，成都525信箱77分箱 610003 |
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| 摘 要： | 介绍了一种新型脉冲辐射探测器以及提高其性能的一种方法,并报告了探测器性能与中子积分通量关系的实验结果。
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| 关 键 词： | 探测器 辐射改性 砷化镓 中子通量 |
MODIFICATION OF GaAs: Cr DETECTORS BY NEUTRON RADIATION |
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| Liu Shenye,Xu Rongkun,Jia Bingfang,Liu Qingzhao,and Wen Shuhuai. MODIFICATION OF GaAs: Cr DETECTORS BY NEUTRON RADIATION[J]. High Power Laser and Particle Beams, 1993, 5(2): 239-242 |
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| Authors: | Liu Shenye Xu Rongkun Jia Bingfang Liu Qingzhao and Wen Shuhuai |
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| Abstract: | The paper introduces a new type of pulse detector and the modification by neutron radiation, and reports the experimental results of the relation between the detector character and neutron fluence. A detector of a time response less than 200ps has been obtained in our experiment. |
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| Keywords: | GaAs: Cr detector modification by neutron radiation character. |
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