| 工艺参数对高功率MPCVD金刚石膜择优取向的影响研究 |
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| 作者姓名： | 于盛旺 刘艳青 唐伟忠 申艳艳 贺志勇 唐宾 |
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| 作者单位： | 太原理工大学表面工程研究所,太原030024;北京科技大学材料科学与工程学院,北京100083;北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083;太原理工大学表面工程研究所,太原,030024 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51071106) |
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| 摘 要： | 使用自行研制的椭球谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源、沉积功率8 kW条件下,在不同CH4浓度、沉积温度和气体流量工艺条件下制备了大面积金刚石膜.使用X射线衍射仪对金刚石膜的择优取向的变化规律进行了研究.实验结果表明,高功率条件下工艺参数对金刚石膜的择优取向有不同程度的影响.在CH4浓度由0.5;上升到1.0;时,金刚石膜的择优取向由(220)转变为(111),由1.O;上升到2.5;时,则由(111)转变为(220)以及(311);在700 ～ 1050℃温度范围内,随着沉积温度的升高,金刚石膜(111)择优取向生长的倾向增高,当沉积温度高于1050℃时,金刚石膜改变了原先的以(111)择优取向生长的趋势,变为了以(100)择优取向生长;在气体流速为200～1000 sccm范围内时,随气体流量的增加,金刚石膜(111)择优取向的倾向增加.当气体流量大于1000sccm时,金刚石膜(111)择优取向的倾向又稍有降低.
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| 关 键 词： | 金刚石膜 高功率MPCVD 工艺参数 择优取向, |
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