外场下向列相液晶太赫兹光学性质

利用太赫兹时域光谱技术(THz-TDS)测试向列相液晶E7和5CB在磁场、电场和光场作用下的太赫兹光学性质,较为全面地总结向列相液晶在不同场强下的折射率变化。实验观察到E7和5CB在磁场下的负磁致折变效应和在电场下的正电致折变效应。磁致折射率变化最大达到-0.087,电致折射率变化最大达到0.051,而光致折变与电致折变的物理本质相同,在7.961 W/cm2的532 nm激光抽运下折射率变化最大达到0.015。这些研究结果为液晶材料在太赫兹波段的可调相移器、滤波器和空间光调制器等重要功能器件中的应用打下基础。