| 应力导致InAs/In0.15Ga0.85As量子点结构中In0.15Ga0.85As阱层的合金分解效应研究 |
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| 作者姓名： | 王茺 刘昭麟 陈平平 崔昊杨 夏长生 杨宇 陆卫 |
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| 作者单位： | (1)云南大学工程技术研究院,昆明 650091; (2)云南大学工程技术研究院,昆明 650091;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083; (3)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划项目(批准号：2004CB619004),国家自然科学基金(批准号10234040和60567001)资助的课题. |
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| 摘 要： | 利用固源分子束外延技术,在In0.15Ga0.85As/GaAs量子阱生长了两个InAs/In0.15Ga0.85As量子点(DWELL)样品.通过改变其中一个InAs DWELL样品中的In0.15Ga0.85As阱层的厚度和生长温度,获得了量子点尺寸增大而且尺寸分布更均匀的结果.结合光致发光光谱(PL)和压电调制光谱(PzR)实验结果,发现该样品量子点的光学性质也同时得到
关键词：
合金分解效应
0.15Ga0.85As量子点')" href="#">InAs/In0.15Ga0.85As量子点
光致发光光谱
压电调制光谱
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| 关 键 词： | 合金分解效应 InAs/In0.15Ga0.85As量子点 光致发光光谱 压电调制光谱 |
| 文章编号： | 1000-3290/2007/56(09)/5418-06 |
| 收稿时间： | 2007-01-25 |
| 修稿时间： | 2007-03-05 |
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