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| 硅烷热解多晶硅气相沉积反应模型分析与验证 | |
| 作者姓名： | 樊友雯 陈彩霞 |
| 作者单位： | 华东理工大学资源与环境工程学院,煤气化及能源化工教育部重点实验室,上海200237 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(21275085) |
| 摘 要： | 在综述现有硅烷热解反应机理的基础上,针对Ho等人提出的气相和表面反应机理,采用二维边界层反应模型和CHEMKIN软件,对水平单基片CVD反应器进行模拟分析,计算结果与文献报道的实验数据拟合良好;通过改变硅烷进气浓度和进气温度,分析沉积速率的变化和各表面反应的贡献率,得到硅微粉再沉积过程随浓度和温度的变化规律;使用上述机理模型,计算了硅烷流化床对应的操作温度和硅烷浓度条件下的沉积速率,与文献报道测量结果比较,误差在合理范围,表明该机理适用于硅烷流化床化学气相沉积过程的CFD耦合模拟. |
| 关 键 词： | 硅烷 多晶硅 硅微粉 数值模拟, |
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