| 超声研磨SiC单晶材料去除率与表面特征研究 |
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| 引用本文： | 肖强. 超声研磨SiC单晶材料去除率与表面特征研究[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(2): 496-499 |
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| 作者姓名： | 肖强 |
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| 作者单位： | 西安理工大学机械与精密仪器工程学院,西安,710048;西安工业大学机电工程学院,西安,710032 |
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| 摘 要： | 为了提高SiC单晶片的加工效率,降低表面粗糙度,通过实验对比研究了普通研磨与超声波辅助研磨两种研磨工艺.实验表明,超声波辅助研磨SiC单晶片材料去除率是普通研磨的两倍,表面粗糙度值也有显著降低.本文同时分析了材料去除率提高与表而粗糙度值降低的原因.
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| 关 键 词： | SiC单晶 超声研磨 表面特征 材料去除率, |
Research on the Material Removal Rates and Surface Features of SiC Single Crystal by Ultrasonic Polishing |
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| XIAO Qiang. Research on the Material Removal Rates and Surface Features of SiC Single Crystal by Ultrasonic Polishing[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2011, 40(2): 496-499 |
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| Authors: | XIAO Qiang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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