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硅片加工表面层损伤检测技术的试验研究
引用本文:张银霞,李大磊,郜伟,康仁科.硅片加工表面层损伤检测技术的试验研究[J].人工晶体学报,2011,40(2):359-364.
作者姓名:张银霞  李大磊  郜伟  康仁科
作者单位:郑州大学机械工程学院,郑州,450001;大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,大连,116024
基金项目:国家自然科学基金,河南省教育厅自然科学研究资助项目
摘    要:单晶硅片超精密加工表面层损伤较小,检测评价比较困难.为了确定合适的检测技术,对多种硬脆材料表面层质量检测技术进行了系统的试验研究.结果表明,硅片加工表面宏/ 微观形貌可采用各种显微镜及3D表面轮廓仪等进行检测,表面损伤分布可采用择优腐蚀法和分步蚀刻法检测;粗加工和半精加工硅片的损伤深度宜采用角度抛光法检测,而精加工硅片的损伤深度较小,宜采用截面Raman光谱分析和恒定腐蚀速率法检测;损伤层的微裂纹、位错、非晶及多晶相变等微观结构可采用分步蚀刻法、平视和剖视TEM分析法及显微Raman光谱仪检测;表面层宏观残余应力分布可用显微Raman光谱仪检测,其微观应变可采用高分辨X射线衍射仪的双品摇摆曲线的半高宽值来衡量.综合以上检测技术可以对硅片加工表面层损伤进行系统的评价.

关 键 词:硅片  加工损伤  检测技术  

Experimental Investigation on the Detection Technique for Surface Layer Damage of Machined Silicon Wafers
ZHANG Yin-xia,LI Da-lei,GAO Wei,KANG Ren-ke.Experimental Investigation on the Detection Technique for Surface Layer Damage of Machined Silicon Wafers[J].Journal of Synthetic Crystals,2011,40(2):359-364.
Authors:ZHANG Yin-xia  LI Da-lei  GAO Wei  KANG Ren-ke
Institution:ZHANG Yin-xia1,LI Da-lei1,GAO Wei1,KANG Ren-ke2 (1.School of Mechanical Engineering,Zhengzhou University,Zhengzhou 450001,China,2.Key Laboratory for Precision and Non-traditional Machining Technology of Ministry of Education,Dalian University of Technology,Dalian 116024,China)
Abstract:It is difficult to evaluate the damage layer of the machined wafer because it is less.In order to determine the suitable measurement method,the measurement techniques which can be used to evaluate the hard and brittle materials surface layer damage are systemic studied in this paper.The results show that the surface macro/micro pattern can be observed by various microscopes and 3D surface profile meter.The surface defects can be measured by preferential etching and step etching.The subsurface damage depth(S...
Keywords:silicon wafers  machined damage  measurement technique  
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